Як уникнути втрат енергії в процесі перетворення сонячної енергії в електричну – на це питання знайшла відповідь група інженерів під керівництвом Мінюн Хана (Mingyong Han) з Сінгапуру. Вчені винайшли спосіб створення нанорозмірних гетеропереходів в фотоелементах, які дозволять уникнути рекомбінації вільних зарядів, тобто запобігти утворенню «дірок» на сонячній батареї, повідомляє chemport.ru.
#img_left#Як уникнути втрат енергії в процесі перетворення сонячної
енергії в електричну – на це питання знайшла відповідь група інженерів під
керівництвом Мінюн Хана (Mingyong Han) з Сінгапуру. Вчені винайшли спосіб
створення нанорозмірних гетеропереходів в фотоелементах, які дозволять уникнути
рекомбінації вільних зарядів, тобто запобігти утворенню «дірок» на сонячній
батареї, повідомляє chemport.ru.
Побудована з нанорозмірних кристалів напівпровідника, площа
поверхні фотоелемента збільшиться, при цьому вартість виробництва такого
елемента буде нижче, ніж у звичайних, створених за допомогою літографічних
методів.
Перехід між двома типами напівпровідників повинен
забезпечувати їх максимальний контакт. Інженери прийшли до висновку, що в
сонячних батареях нового покоління гетеропереходи між n-і p-типами
напівпровідників повинні відбуватися хімічним шляхом. Отримані раніше бінарні
сферичні нанокристали характеризувалися низьким коефіцієнтом корисної дії.
Групі інженерів під керівництвом Мінюн Хана вдалося вирішити цю проблему:
композитний матеріал вони синтезували за іншим методом.
Вчені впевнені, що винайдена ними структура нанопереходів
може використовуватися не тільки при виробництві фотоелементів, але й в інших
областях для синтезу різних напівпровідникових пар. Цей винахід фактично є
кроком до створення сонячних батарей нового покоління, побудованих на основі
нанотехнологій.