Как избежать потерь энергии в процессе преобразования солнечной энергии в электрическую – на этот вопрос нашла ответ группа инженеров под руководством Минюн Хана (Mingyong Han) из Сингапура.
Как избежать потерь энергии в процессе преобразования солнечной энергии в электрическую – на этот вопрос нашла ответ группа инженеров под руководством Минюн Хана (Mingyong Han) из Сингапура. Ученые нашли способ создания наноразмерных гетеропереходов в фотоэлементах, которые позволят избежать рекомбинации свободных зарядов, то есть предотвратить образование «дырок» на солнечной батарее, сообщает chemport.ru.
#img_left#Построенная из наноразмерных кристаллов полупроводника, площадь поверхности фотоэлемента увеличится, при этом стоимость производства такого элемента будет ниже, чем у обычных, созданных при помощи литографических методов.
Переход между двумя типами полупроводников должен обеспечивать их максимальный контакт. Инженеры пришли в выводу, что в солнечных батареях нового поколения гетеропереходы между n- и p-типами полупроводников должны происходить химическим путем. Полученные ранее бинарные сферические нанокристалы характеризовались низким коэффициентом полезного действия. Группе инженеров под руководством Минюн Хана удалось решить эту проблему: композитный материал они синтезировали по другому методу.
Ученые уверенны, что изобретенная ими структура нанопереходов может использоваться не только в производстве фотоэлементов, но и в других областях для синтеза различных полупроводниковых пар. Это изобретение фактически является шагом к созданию солнечных батарей нового поколения, построенных на основе нанотехнологий.